Dynasylan® SILBOND® UHPT — это ультравысокочистый тетраэтилортосиликат (TEOS) с чистотой не менее 99,990 % и содержанием бора не более 10 ppb. Продукт представляет собой прозрачную жидкость с низкой вязкостью (0,75 мПа·с при 20 °C), плотностью 0,940 г/см³ и температурой кипения около 167 °C. Содержание диоксида кремния (SiO₂) составляет 26–30 %, а содержание воды не превышает 10 ppm.
Благодаря своей исключительной чистоте Dynasylan® SILBOND® UHPT применяется в областях, где критически важно минимальное количество примесей, особенно в полупроводниковой промышленности.
Полупроводниковая промышленность
Основное применение Dynasylan® SILBOND® UHPT связано с производством полупроводников и микроэлектроники. Продукт используется в процессах химического осаждения из паровой фазы (CVD), в технологиях spin-on glass и в сол-гель методах. Высокая чистота гарантирует формирование тонких и стабильных слоёв SiO₂, необходимых для надёжности и долговечности электронных компонентов.
Электронная промышленность
В электронной и оптоэлектронной промышленности Dynasylan® SILBOND® UHPT применяется для создания диэлектрических слоёв, защитных покрытий и оптических элементов. Низкое содержание бора исключает риск влияния на электрические свойства микросхем, а также позволяет использовать продукт в высокотехнологичных оптических устройствах.
Химическая промышленность
В химии материалов продукт используется как прекурсор в сол-гель процессах для синтеза органо-неорганических гибридных структур. Он обеспечивает создание покрытий с высокой прозрачностью, прочностью и химической стойкостью.
Преимущества продукта
Ключевые преимущества Dynasylan® SILBOND® UHPT включают ультравысокую чистоту (99,990 %), низкое содержание бора и воды, оптимальные физико-химические характеристики и длительный срок хранения (не менее 12 месяцев в закрытой таре). Продукт поставляется в различной промышленной упаковке — от вёдер до цистерн, что делает его удобным для масштабного применения.
Таким образом, Dynasylan® SILBOND® UHPT — это надёжный и высокоэффективный источник кремнезёма, востребованный в полупроводниковой, электронной и химической промышленности.
